codice articolo del costruttore | QRD1113 |
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Numero di parte futuro | FT-QRD1113 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
QRD1113 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Distanza di rilevamento | 0.050" (1.27mm) |
Metodo di sensing | Reflective |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 50mA |
Tipo di uscita | Phototransistor |
Tempo di risposta | 10µs, 50µs |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial - 4 Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QRD1113 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | QRD1113-FT |
GP2S24ABJ00F
Sharp Microelectronics
GP2S24
Sharp Microelectronics
GP2S24J0000F
Sharp Microelectronics
GP2L26
Sharp Microelectronics
GP2L24
Sharp Microelectronics
GP2L24J0000F
Sharp Microelectronics
GP2L20R
Sharp Microelectronics
RPR-220PC30N
Rohm Semiconductor
RPR-220UC30N
Rohm Semiconductor
RPR-220
Rohm Semiconductor
XCV405E-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110DF27I7N
Intel
10AX048H2F34I2SG
Intel
5SGXMA7K2F35I2N
Intel
LFE3-150EA-6FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153I7G
Intel
EP2S90F1508C3N
Intel
EP20K400EBC652-1N
Intel
5CGXFC3B7U15C8N
Intel