casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / PZT651T1G
codice articolo del costruttore | PZT651T1G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PZT651T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PZT651T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | 75MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PZT651T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PZT651T1G-FT |
MJB41CT4G
ON Semiconductor
MJB44H11T4G
ON Semiconductor
MJB45H11T4G
ON Semiconductor
MJB45H11G
ON Semiconductor
MJB42CT4G
ON Semiconductor
MJB5742T4G
ON Semiconductor
BUB323ZG
ON Semiconductor
NJVBUB323ZT4G
ON Semiconductor
BUB323ZT4G
ON Semiconductor
NJVMJB42CT4G
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel