casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PUMH1/DG/B3,115
codice articolo del costruttore | PUMH1/DG/B3,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PUMH1/DG/B3,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PUMH1/DG/B3,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100mA |
Frequenza - Transizione | 230MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PUMH1/DG/B3,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PUMH1/DG/B3,115-FT |
PBLS4003Y,115
Nexperia USA Inc.
PBLS4004Y,115
Nexperia USA Inc.
PUMB10,115
Nexperia USA Inc.
PUMD17,115
Nexperia USA Inc.
PUMD4,115
Nexperia USA Inc.
PUMD48,115
Nexperia USA Inc.
PUMD15,115
Nexperia USA Inc.
PBLS1501Y,115
Nexperia USA Inc.
PBLS1502Y,115
Nexperia USA Inc.
PBLS1504Y,115
Nexperia USA Inc.
A54SX08-TQG144
Microsemi Corporation
XC2S30-5VQG100C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-3
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX30-2FF676C
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
5AGXMB1G6F31C6N
Intel
EP3C25F324C6N
Intel
EP20K100EQI240-3
Intel