casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PUMH10,125
codice articolo del costruttore | PUMH10,125 |
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Numero di parte futuro | FT-PUMH10,125 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PUMH10,125 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PUMH10,125 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PUMH10,125-FT |
MIMD10A-7-F
Diodes Incorporated
DCX122LU-7-F
Diodes Incorporated
DCX124EU-7-F
Diodes Incorporated
DDC123JU-7-F
Diodes Incorporated
DDA122LU-7-F
Diodes Incorporated
DDC113TU-7-F
Diodes Incorporated
DDA124EU-7-F
Diodes Incorporated
DDC143TU-7-F
Diodes Incorporated
DDA114EU-7-F
Diodes Incorporated
DDA114YU-7-F
Diodes Incorporated
XCKU5P-3FFVA676E
Xilinx Inc.
EP2C50U484C7N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
5SGXMA4K1F35C1N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156E
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I3N
Intel
EPF6016AFC100-2
Intel