casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / PTFB082817FHV1XWSA1
codice articolo del costruttore | PTFB082817FHV1XWSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-PTFB082817FHV1XWSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PTFB082817FHV1XWSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 821MHz |
Guadagno | 19.3dB |
Tensione - Test | 28V |
Valutazione attuale | - |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 2.15A |
Potenza - Uscita | 60W |
Tensione: nominale | 65V |
Pacchetto / caso | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
Pacchetto dispositivo fornitore | H-34288-4/2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PTFB082817FHV1XWSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PTFB082817FHV1XWSA1-FT |
MRF9045LSR1
NXP USA Inc.
MRF9045LSR5
NXP USA Inc.
MRF9045NBR1
NXP USA Inc.
MRF9060LR5
NXP USA Inc.
MRF9060LSR1
NXP USA Inc.
MRF9060LSR5
NXP USA Inc.
MRF9060NBR1
NXP USA Inc.
MRF9120LR3
NXP USA Inc.
MRF9120LR5
NXP USA Inc.
MRF9210R3
NXP USA Inc.
AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP1S10F484I6N
Intel
5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC7S6-1CSGA225I
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG896
Microsemi Corporation
LFXP10C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19C6N
Intel
EPF10K10QC208-4N
Intel