casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / PTFA092201E-V4-R250
codice articolo del costruttore | PTFA092201E-V4-R250 |
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Numero di parte futuro | FT-PTFA092201E-V4-R250 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PTFA092201E-V4-R250 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 960MHz |
Guadagno | 18.5dB |
Tensione - Test | 30V |
Valutazione attuale | 10µA |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 1.85A |
Potenza - Uscita | 220W |
Tensione: nominale | 65V |
Pacchetto / caso | 2-Flatpack, Fin Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | H-36260-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PTFA092201E-V4-R250 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PTFA092201E-V4-R250-FT |
MWT-1789SB
Microwave Technology Inc.
ARF446G
Microsemi Corporation
ARF447G
Microsemi Corporation
ARF449BG
Microsemi Corporation
ARF440
Microsemi Corporation
ARF441
Microsemi Corporation
ARF442
Microsemi Corporation
ARF443
Microsemi Corporation
ARF444
Microsemi Corporation
ARF445
Microsemi Corporation
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C5F256I7
Intel
10M04SAU169I7G
Intel
EP4CE6E22C8LN
Intel
5SGXEA7N3F45I4N
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34I1SG
Intel
EP2C70F896I8N
Intel