casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / PTFA080551E V1
codice articolo del costruttore | PTFA080551E V1 |
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Numero di parte futuro | FT-PTFA080551E V1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PTFA080551E V1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | LDMOS |
Frequenza | 960MHz |
Guadagno | 18.5dB |
Tensione - Test | 28V |
Valutazione attuale | 10µA |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 600mA |
Potenza - Uscita | 55W |
Tensione: nominale | 65V |
Pacchetto / caso | H-36265-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | H-36265-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PTFA080551E V1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PTFA080551E V1-FT |
AFT27S006NT1
NXP USA Inc.
AFT27S010NT1
NXP USA Inc.
AFT27S012NT1
NXP USA Inc.
MHT1006NT1
NXP USA Inc.
MHT1008NT1
NXP USA Inc.
AFT05MS006NT1
NXP USA Inc.
MMRF1021NT1
NXP USA Inc.
BLA1011-300,112
Ampleon USA Inc.
NE34018-T1
CEL
MWT-1789SB
Microwave Technology Inc.
M2GL060-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-1FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
A40MX04-1PL84
Microsemi Corporation
LFXP20E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508C4
Intel
EP3C80F780C6N
Intel