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codice articolo del costruttore | PT100R-1100-VM |
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Numero di parte futuro | FT-PT100R-1100-VM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PTR |
PT100R-1100-VM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Toroidal |
Materiale: core | - |
Induttanza | 100µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 5.1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 50 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.950" L x 0.600" W (24.13mm x 15.24mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.230" (31.24mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PT100R-1100-VM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PT100R-1100-VM-FT |
PA4025.231HLT
Pulse Electronics Power
PA4025.361HLT
Pulse Electronics Power
PA4060.121HLT
Pulse Electronics Power
PA4060.151HLT
Pulse Electronics Power
PA4060.171HLT
Pulse Electronics Power
PA4060.231HLT
Pulse Electronics Power
PA4060.271HLT
Pulse Electronics Power
PA4060.301HLT
Pulse Electronics Power
PA4390.331AHLT
Pulse Electronics Power
PA4390.331HLT
Pulse Electronics Power
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
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Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel