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codice articolo del costruttore | PT100-1100 |
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Numero di parte futuro | FT-PT100-1100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PT |
PT100-1100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Toroidal |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 100µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 5.1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 50 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.950" Dia x 0.600" W (24.13mm x 15.24mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PT100-1100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PT100-1100-FT |
PA2202.231NLT
Pulse Electronics Power
PA2202.321NLT
Pulse Electronics Power
PA2891.211HLT
Pulse Electronics Power
PA2891.261HLT
Pulse Electronics Power
PA2891.321HLT
Pulse Electronics Power
PA2891.441HLT
Pulse Electronics Power
PA2983.230HLT
Pulse Electronics Power
PA3146.121HLT
Pulse Electronics Power
PA3146.151HLT
Pulse Electronics Power
PA3146.181HLT
Pulse Electronics Power
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel