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codice articolo del costruttore | PT100-1000HM |
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Numero di parte futuro | FT-PT100-1000HM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PT |
PT100-1000HM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Toroidal |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 100µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 3.5A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 80 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.950" Dia (24.13mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.600" (15.24mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PT100-1000HM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PT100-1000HM-FT |
PA2202.211NLT
Pulse Electronics Power
PA2202.231NLT
Pulse Electronics Power
PA2202.321NLT
Pulse Electronics Power
PA2891.211HLT
Pulse Electronics Power
PA2891.261HLT
Pulse Electronics Power
PA2891.321HLT
Pulse Electronics Power
PA2891.441HLT
Pulse Electronics Power
PA2983.230HLT
Pulse Electronics Power
PA3146.121HLT
Pulse Electronics Power
PA3146.151HLT
Pulse Electronics Power
XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel