casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN7R0-100BS,118
codice articolo del costruttore | PSMN7R0-100BS,118 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN7R0-100BS,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN7R0-100BS,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6686pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 269W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN7R0-100BS,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN7R0-100BS,118-FT |
PHP55N03LTA,127
NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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NXP USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Intel
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Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
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Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
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Intel