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codice articolo del costruttore | PSMN2R8-40BS,118 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN2R8-40BS,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN2R8-40BS,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4491pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 211W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R8-40BS,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN2R8-40BS,118-FT |
PSMN005-55P,127
NXP USA Inc.
PSMN005-75P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN008-75P,127
NXP USA Inc.
PSMN009-100P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN015-110P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN017-30PL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN030-150P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN035-150P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN050-80PS,127
NXP USA Inc.
PSMN057-200P,127
Nexperia USA Inc.