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codice articolo del costruttore | PSMN1R6-30BL,118 |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN1R6-30BL,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN1R6-30BL,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 212nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12493pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 306W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN1R6-30BL,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN1R6-30BL,118-FT |
PSMN004-60P,127
NXP USA Inc.
PSMN005-55P,127
NXP USA Inc.
PSMN005-75P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN008-75P,127
NXP USA Inc.
PSMN009-100P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN015-110P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN017-30PL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN030-150P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN035-150P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN050-80PS,127
NXP USA Inc.
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel