casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / PR2006G-T
codice articolo del costruttore | PR2006G-T |
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Numero di parte futuro | FT-PR2006G-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PR2006G-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 500ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-15 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PR2006G-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PR2006G-T-FT |
RS1DB-13
Diodes Incorporated
RS1GB-13
Diodes Incorporated
RS1JB-13
Diodes Incorporated
RS1KB-13
Diodes Incorporated
RS1MB-13
Diodes Incorporated
RS2A-13
Diodes Incorporated
RS2B-13
Diodes Incorporated
RS2D-13
Diodes Incorporated
RS2G-13
Diodes Incorporated
RS2J-13
Diodes Incorporated
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel