casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / PN2907ANLBU
codice articolo del costruttore | PN2907ANLBU |
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Numero di parte futuro | FT-PN2907ANLBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PN2907ANLBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PN2907ANLBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PN2907ANLBU-FT |
MPS6651G
ON Semiconductor
MPS6652G
ON Semiconductor
MPS750G
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XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG484
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