casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMZB320UPEYL
codice articolo del costruttore | PMZB320UPEYL |
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Numero di parte futuro | FT-PMZB320UPEYL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMZB320UPEYL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 510 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 122pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta), 6.25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006B-3 |
Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZB320UPEYL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMZB320UPEYL-FT |
PMK50XP,518
Nexperia USA Inc.
PSMN005-30K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN006-20K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN038-100K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN085-150K,518
Nexperia USA Inc.
PSMN165-200K,518
Nexperia USA Inc.
SI4410DY,518
NXP USA Inc.
SI4420DY,518
NXP USA Inc.
SI4800,518
NXP USA Inc.
SI9410DY,518
NXP USA Inc.
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel