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Nexperia USA Inc. PMZB200UNEYL

Name: PMZB200UNEYL
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMZB200UNEYL
Price: 0.058288 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (58 reviews)

Numero parte MFG: PMZB200UNEYL

quantità disponibile: 67650 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.058288

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Nexperia USA Inc.

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V SOT883

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PMZB200UNEYL.pdf

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PMZB200UNEYL specificazioni

codice articolo del costruttore	PMZB200UNEYL
Numero di parte futuro	FT-PMZB200UNEYL
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
PMZB200UNEYL Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	89pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN1006B-3
Pacchetto / caso	3-XFDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMZB200UNEYL Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PMZB200UNEYL-FT

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