casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMZ320UPEYL
codice articolo del costruttore | PMZ320UPEYL |
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Numero di parte futuro | FT-PMZ320UPEYL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMZ320UPEYL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 510 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 122pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta), 6.25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006-3 |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZ320UPEYL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMZ320UPEYL-FT |
NVMFS6B14NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B75NLT1G
ON Semiconductor
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel