casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMZ130UNEYL
codice articolo del costruttore | PMZ130UNEYL |
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Numero di parte futuro | FT-PMZ130UNEYL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMZ130UNEYL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 93pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta), 6.25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006-3 |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZ130UNEYL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMZ130UNEYL-FT |
NVMFS6B14NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLT3G
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NVMFS6B14NLWFT1G
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