casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMZ130UNEYL
codice articolo del costruttore | PMZ130UNEYL |
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Numero di parte futuro | FT-PMZ130UNEYL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMZ130UNEYL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 93pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 350mW (Ta), 6.25W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1006-3 |
Pacchetto / caso | SC-101, SOT-883 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMZ130UNEYL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMZ130UNEYL-FT |
NVMFS6B14NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B14NWFT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLT3G
ON Semiconductor
NVMFS6B25NLWFT1G
ON Semiconductor
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20-2AJC
Microchip Technology
EP3CLS200F780I7
Intel
EPF6016AFC100-3N
Intel