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NXP USA Inc. PMT200EN,115

Name: PMT200EN,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PMT200EN,115
Availability: InStock
Rating: 4.9 (648 reviews)

Numero parte MFG: PMT200EN,115

quantità disponibile: 56400 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PMT200EN,115.pdf

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PMT200EN,115 specificazioni

codice articolo del costruttore	PMT200EN,115
Numero di parte futuro	FT-PMT200EN,115
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
PMT200EN,115 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	235 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	475pF @ 80V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	800mW (Ta), 8.3W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMT200EN,115 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PMT200EN,115-FT

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