casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMPB29XPE,115
codice articolo del costruttore | PMPB29XPE,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PMPB29XPE,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMPB29XPE,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.5 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2970pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN2020MD-6 |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB29XPE,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMPB29XPE,115-FT |
NX138AKR
Nexperia USA Inc.
PMV48XP,215
Nexperia USA Inc.
BSS138AKAR
Nexperia USA Inc.
NX3008PBK,215
Nexperia USA Inc.
PMV160UP,215
Nexperia USA Inc.
PMV30XPEAR
Nexperia USA Inc.
PMV50XPR
Nexperia USA Inc.
PMV48XPAR
Nexperia USA Inc.
PMV27UPER
Nexperia USA Inc.
PMV33UPE,215
Nexperia USA Inc.
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel