casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMPB25ENEAX
codice articolo del costruttore | PMPB25ENEAX |
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Numero di parte futuro | FT-PMPB25ENEAX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMPB25ENEAX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 7.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 607pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.08W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN2020MD-6 |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB25ENEAX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMPB25ENEAX-FT |
PMV65XPEAR
Nexperia USA Inc.
2N7002BKVL
Nexperia USA Inc.
BSH202,215
Nexperia USA Inc.
NX138AKR
Nexperia USA Inc.
PMV48XP,215
Nexperia USA Inc.
BSS138AKAR
Nexperia USA Inc.
NX3008PBK,215
Nexperia USA Inc.
PMV160UP,215
Nexperia USA Inc.
PMV30XPEAR
Nexperia USA Inc.
PMV50XPR
Nexperia USA Inc.
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel