casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMPB20ENZ
codice articolo del costruttore | PMPB20ENZ |
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Numero di parte futuro | FT-PMPB20ENZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMPB20ENZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN2020MD-6 |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB20ENZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMPB20ENZ-FT |
PMV37EN2R
Nexperia USA Inc.
BSH205G2R
Nexperia USA Inc.
NX7002BKR
Nexperia USA Inc.
BSH114,215
Nexperia USA Inc.
PMV20XNER
Nexperia USA Inc.
PMV65XPEAR
Nexperia USA Inc.
2N7002BKVL
Nexperia USA Inc.
BSH202,215
Nexperia USA Inc.
NX138AKR
Nexperia USA Inc.
PMV48XP,215
Nexperia USA Inc.
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel