casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / PMEG45U10EPDAZ
codice articolo del costruttore | PMEG45U10EPDAZ |
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Numero di parte futuro | FT-PMEG45U10EPDAZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMEG45U10EPDAZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 16ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20mA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | 1170pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | CFP15 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG45U10EPDAZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMEG45U10EPDAZ-FT |
BAL99,215
Nexperia USA Inc.
BAS40,215
Nexperia USA Inc.
BAT754,215
Nexperia USA Inc.
BAL74,215
Nexperia USA Inc.
BAS101,215
Nexperia USA Inc.
BAS116,235
Nexperia USA Inc.
BAS16,235
Nexperia USA Inc.
BAS17,215
Nexperia USA Inc.
BAS19,215
Nexperia USA Inc.
BAS19,235
Nexperia USA Inc.
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel