casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / PMEG3020EJ,115
codice articolo del costruttore | PMEG3020EJ,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PMEG3020EJ,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMEG3020EJ,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 72pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-90, SOD-323F |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323F |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG3020EJ,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMEG3020EJ,115-FT |
UGF8FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGF8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UHF10JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UHF5JT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
UHF8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS116T,115
NXP USA Inc.
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel