casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / PMDXB950UPELZ
codice articolo del costruttore | PMDXB950UPELZ |
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Numero di parte futuro | FT-PMDXB950UPELZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMDXB950UPELZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 10V |
Potenza - Max | 380mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010B-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMDXB950UPELZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMDXB950UPELZ-FT |
NTHD5905T1
ON Semiconductor
TPCF8201(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCF8304(TE85L,F,M
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TPCF8402(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
NTLGD3502NT1G
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NTLGD3502NT2G
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NVLJD4007NZTAG
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NVLJD4007NZTBG
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NTLJD3115PT1G
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NTLJD3119CTBG
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A1020B-1PQ100I
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A54SX16A-FG256I
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5AGZME7K2F40C3N
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5SGXEB6R2F43I3L
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5SGXEABK1H40I2N
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EP3SE260F1152I3
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EP3SE80F1152C2N
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XC2V1000-5BGG575C
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XC4036XL-2HQ208C
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XC7K480T-2FFG1156C
Xilinx Inc.