casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / PMBT2907,215
codice articolo del costruttore | PMBT2907,215 |
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Numero di parte futuro | FT-PMBT2907,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PMBT2907,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 250mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMBT2907,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMBT2907,215-FT |
BC859BW,115
Nexperia USA Inc.
BC859BW,135
Nexperia USA Inc.
BC859CW,115
Nexperia USA Inc.
BC859CW,135
Nexperia USA Inc.
BC859CW/ZLF
Nexperia USA Inc.
BC859CW/ZLX
Nexperia USA Inc.
BC860BW,115
Nexperia USA Inc.
BC860BW,135
Nexperia USA Inc.
BC860CW,115
Nexperia USA Inc.
BC860CW,135
Nexperia USA Inc.
LCMXO640E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.