casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / PLZ9V1B-G3/H
codice articolo del costruttore | PLZ9V1B-G3/H |
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Numero di parte futuro | FT-PLZ9V1B-G3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PLZ |
PLZ9V1B-G3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 8.79V |
Tolleranza | ±2.5% |
Potenza - Max | 960mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 6V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AC (microSMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PLZ9V1B-G3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PLZ9V1B-G3/H-FT |
BZW03C36-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C39-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C39-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C43-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C43-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C47-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C47-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C51-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C51-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
M2GL025-VF400
Microsemi Corporation
EP4CGX30BF14C8N
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-CS281
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQG160
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel