casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / PLZ3V6B-G3/H
codice articolo del costruttore | PLZ3V6B-G3/H |
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Numero di parte futuro | FT-PLZ3V6B-G3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PLZ |
PLZ3V6B-G3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 3.72V |
Tolleranza | ±3.29% |
Potenza - Max | 960mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AC (microSMF) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PLZ3V6B-G3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PLZ3V6B-G3/H-FT |
BZW03C7V5-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C82-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C82-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C8V2-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C8V2-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C91-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C91-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C9V1-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03C9V1-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03D10-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel