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codice articolo del costruttore | PL8600NLT |
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Numero di parte futuro | FT-PL8600NLT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | POGO |
PL8600NLT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Toroidal |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 8.3A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 8 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | - |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.625" L x 0.525" W (15.88mm x 13.34mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.320" (8.12mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PL8600NLT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PL8600NLT-FT |
PL8170NLT
PulseR
PL8170T
PulseR
PL8171
PulseR
PL8171NL
PulseR
PL8171NLT
PulseR
PL8171T
PulseR
PL8180
PulseR
PL8180NL
PulseR
PL8180NLT
PulseR
PL8180T
PulseR
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel