casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PHT4NQ10T,135
codice articolo del costruttore | PHT4NQ10T,135 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PHT4NQ10T,135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PHT4NQ10T,135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 6.9W (Tc) |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-73 |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHT4NQ10T,135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PHT4NQ10T,135-FT |
BUK7107-40ATC,118
Nexperia USA Inc.
BUK7107-55AIE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7107-55ATE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7108-40AIE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7109-75AIE,118
Nexperia USA Inc.
BUK7109-75ATE,118
Nexperia USA Inc.
BUK714R1-40BT,118
Nexperia USA Inc.
BUK9107-40ATC,118
Nexperia USA Inc.
BUK9107-55ATE,118
Nexperia USA Inc.
PMCM6501VPEZ
Nexperia USA Inc.
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel