casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PHB29N08T,118
codice articolo del costruttore | PHB29N08T,118 |
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Numero di parte futuro | FT-PHB29N08T,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PHB29N08T,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 11V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 14A, 11V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 88W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHB29N08T,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PHB29N08T,118-FT |
BUK7608-55A,118
Nexperia USA Inc.
BUK7609-55A,118
NXP USA Inc.
BUK7610-55AL,118
Nexperia USA Inc.
BUK7611-55B,118
Nexperia USA Inc.
BUK7613-75B,118
Nexperia USA Inc.
BUK7614-55,118
NXP USA Inc.
BUK7614-55A,118
NXP USA Inc.
BUK7615-100A,118
NXP USA Inc.
BUK76150-55A,118
NXP USA Inc.
BUK7616-55A,118
NXP USA Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
A1425A-1PQ100I
Microsemi Corporation
XC4052XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3CLS100F484C7
Intel
EP2AGX125DF25C4N
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel