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NXP USA Inc. PHB11N06LT,118

Name: PHB11N06LT,118
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHB11N06LT,118
Availability: InStock
Rating: 4.6 (245 reviews)

Numero parte MFG: PHB11N06LT,118

quantità disponibile: 49470 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PHB11N06LT,118.pdf

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PHB11N06LT,118 specificazioni

codice articolo del costruttore	PHB11N06LT,118
Numero di parte futuro	FT-PHB11N06LT,118
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PHB11N06LT,118 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 5V
Vgs (massimo)	±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	33W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHB11N06LT,118 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PHB11N06LT,118-FT

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