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PH5525L,115 Image

NXP USA Inc. PH5525L,115

Numero parte MFG
PH5525L,115
quantità disponibile
69120 pezzi
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fabbricante
NXP USA Inc.
Breve descrizione
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore PH5525L,115
Numero di parte futuro FT-PH5525L,115
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchMOS™
PH5525L,115 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 81.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.6nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2150pF @ 12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 62.5W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso SC-100, SOT-669
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PH5525L,115 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio PH5525L,115-FT

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