casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / PH3135-5S
codice articolo del costruttore | PH3135-5S |
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Numero di parte futuro | FT-PH3135-5S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PH3135-5S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Frequenza - Transizione | - |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | 8.5dB |
Potenza - Max | 5W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 750mA |
temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PH3135-5S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PH3135-5S-FT |
PN3563
Central Semiconductor Corp
CMUT5179 TR
Central Semiconductor Corp
CMPTH81 TR
Central Semiconductor Corp
CMPTH81 BK
Central Semiconductor Corp
NE851M13-T3-A
CEL
NE58219-T1-A
CEL
2SC4703-AZ
CEL
NE46134-T1
CEL
NE46234-AZ
CEL
NE46234-SE-AZ
CEL
XC6SLX100T-3CSG484C
Xilinx Inc.
XA3S1200E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25-2FTG256Q
Xilinx Inc.
M2GL090TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-1XN
Intel
5SGXEB6R3F40I4N
Intel
10AX027E2F27E2LG
Intel
LCMXO640C-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation