casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PH1825AL,115
codice articolo del costruttore | PH1825AL,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PH1825AL,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PH1825AL,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PH1825AL,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PH1825AL,115-FT |
BUK7Y6R0-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y07-30B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y113-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y12-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y14-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y15-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y3R5-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y65-100E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y8R7-60E,115
Nexperia USA Inc.
PSMN013-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel