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codice articolo del costruttore | PE-1008CD271GTT |
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Numero di parte futuro | FT-PE-1008CD271GTT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1008CD |
PE-1008CD271GTT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ceramic |
Induttanza | 270nH |
Tolleranza | ±2% |
Valutazione attuale | 500mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 910 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 350MHz |
Frequenza - Autorisonante | 525MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.090" (2.29mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PE-1008CD271GTT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PE-1008CD271GTT-FT |
PA4344.682ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.223ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.103ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.332ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.472ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.822ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.102ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.152ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.682ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.221ANLT
Pulse Electronics Power
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel