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codice articolo del costruttore | PE-1008CD151GTT |
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Numero di parte futuro | FT-PE-1008CD151GTT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1008CD |
PE-1008CD151GTT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ceramic |
Induttanza | 150nH |
Tolleranza | ±2% |
Valutazione attuale | 580mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 160 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 625MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.090" (2.29mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PE-1008CD151GTT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PE-1008CD151GTT-FT |
PA4344.473ANLT
Pulse Electronics Power
PA4344.561ANLT
Pulse Electronics Power
PA4344.682ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.223ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.103ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.332ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.472ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.822ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.102ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.152ANLT
Pulse Electronics Power
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel