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codice articolo del costruttore | PE-1008CD101GTT |
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Numero di parte futuro | FT-PE-1008CD101GTT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1008CD |
PE-1008CD101GTT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ceramic |
Induttanza | 100nH |
Tolleranza | ±2% |
Valutazione attuale | 650mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | 60 @ 350MHz |
Frequenza - Autorisonante | 900MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1008 (2520 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.090" (2.29mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PE-1008CD101GTT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PE-1008CD101GTT-FT |
PA4343.152ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.682ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.221ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.222ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.333ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.562ANLT
Pulse Electronics Power
PA4343.681ANLT
Pulse Electronics Power
PA4342.683ANLT
Pulse Electronics Power
PA4342.152ANLT
Pulse Electronics Power
PA4342.153ANLT
Pulse Electronics Power
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel