casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / PE-0805CD821JTT
codice articolo del costruttore | PE-0805CD821JTT |
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Numero di parte futuro | FT-PE-0805CD821JTT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 0805CD |
PE-0805CD821JTT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ceramic |
Induttanza | 783nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 180mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2.35 Ohm Max |
Q @ Freq | 23 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 215MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.090" L x 0.066" W (2.29mm x 1.68mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.062" (1.58mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PE-0805CD821JTT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PE-0805CD821JTT-FT |
CIH02T3N6CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T3N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T3N7BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T3N7CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T3N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T3N8BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T3N8CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T3N8SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T3N9BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T3N9CNC
Samsung Electro-Mechanics
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel