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codice articolo del costruttore | PE-0603CD110GTT |
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Numero di parte futuro | FT-PE-0603CD110GTT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 0603CD |
PE-0603CD110GTT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ceramic |
Induttanza | 11nH |
Tolleranza | ±2% |
Valutazione attuale | 700mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 90 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 250MHz |
Frequenza - Autorisonante | 4GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 250MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.071" L x 0.049" W (1.80mm x 1.24mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.040" (1.02mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PE-0603CD110GTT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PE-0603CD110GTT-FT |
PE-53821SNLT
Pulse Electronics Power
PE-53818NL
Pulse Electronics Power
PE-53819NL
Pulse Electronics Power
PE-53818SNL
Pulse Electronics Power
PE-53817SNL
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PE-53816SNL
Pulse Electronics Power
PE-53815SNL
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PE-53814SNL
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PE-53812SNL
Pulse Electronics Power
PE-53811SNL
Pulse Electronics Power
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel