casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Photo Detectors - CdS Cells / PDV-P9008
codice articolo del costruttore | PDV-P9008 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PDV-P9008 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDV-P9008 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
lunghezza d'onda | 520nm |
Tensione - max | 150Vpk |
Rise Time (Typ) | 60ms |
Fall Time (Typ) | 25ms |
Resistenza cellulare (Min) @ Scuro | 20 MOhms @ 10s |
Resistenza cellulare @ illuminanza | 10 ~ 200 kOhms @ 10 lux |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 75°C (TA) |
Through Hole | |
Radial | |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDV-P9008 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDV-P9008-FT |
350-00009
Parallax Inc.
NSL-6510
Advanced Photonix
NSL-5540
Advanced Photonix
NSL-5532
Advanced Photonix
NSL-5510
Advanced Photonix
NORPS-12
Advanced Photonix
NSL-5150
Advanced Photonix
NSL-4140
Advanced Photonix
NSL-06S53
Advanced Photonix
NSL-5110
Advanced Photonix
EPF6016ATC144-3N
Intel
XA3S1200E-4FTG256Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG240
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-FPQG208
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68I
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152C4LN
Intel
AGL400V5-FG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I1SG
Intel