casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Photo Detectors - CdS Cells / PDV-P9006
codice articolo del costruttore | PDV-P9006 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PDV-P9006 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDV-P9006 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
lunghezza d'onda | 520nm |
Tensione - max | 150Vpk |
Rise Time (Typ) | 60ms |
Fall Time (Typ) | 25ms |
Resistenza cellulare (Min) @ Scuro | 5 MOhms @ 10s |
Resistenza cellulare @ illuminanza | 80 ~ 200 kOhms @ 10 lux |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 75°C (TA) |
Through Hole | |
Radial | |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDV-P9006 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDV-P9006-FT |
350-00009
Parallax Inc.
NSL-6510
Advanced Photonix
NSL-5540
Advanced Photonix
NSL-5532
Advanced Photonix
NSL-5510
Advanced Photonix
NORPS-12
Advanced Photonix
NSL-5150
Advanced Photonix
NSL-4140
Advanced Photonix
NSL-06S53
Advanced Photonix
NSL-5110
Advanced Photonix
XC3SD1800A-4CS484C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-QNG48
Microsemi Corporation
EP20K600CF672I8
Intel
EP2A15F672C7AA
Intel
5SGSED8K3F40C4N
Intel
EP2AGX125DF25C5NES
Intel
5AGXBA7D4F27C5N
Intel
XC4VFX40-11FFG672I
Xilinx Inc.
LFX125EB-04FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E1F27E1SG
Intel