casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Photo Detectors - CdS Cells / PDV-P9005-1
codice articolo del costruttore | PDV-P9005-1 |
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Numero di parte futuro | FT-PDV-P9005-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDV-P9005-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
lunghezza d'onda | 520nm |
Tensione - max | 150Vpk |
Rise Time (Typ) | 60ms |
Fall Time (Typ) | 25ms |
Resistenza cellulare (Min) @ Scuro | 20 MOhms @ 10s |
Resistenza cellulare @ illuminanza | 48 ~ 140 kOhms @ 10 lux |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 75°C (TA) |
Through Hole | |
Radial | |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDV-P9005-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDV-P9005-1-FT |
350-00009
Parallax Inc.
NSL-6510
Advanced Photonix
NSL-5540
Advanced Photonix
NSL-5532
Advanced Photonix
NSL-5510
Advanced Photonix
NORPS-12
Advanced Photonix
NSL-5150
Advanced Photonix
NSL-4140
Advanced Photonix
NSL-06S53
Advanced Photonix
NSL-5110
Advanced Photonix
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C7
Intel
5SGXMA3K1F35C2LN
Intel
XC5VLX30-2FF676C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-2MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
10CX220YF672E6G
Intel
EPF10K100EBC356-2X
Intel