casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Photo Detectors - CdS Cells / PDV-P9002-1
codice articolo del costruttore | PDV-P9002-1 |
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Numero di parte futuro | FT-PDV-P9002-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDV-P9002-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
lunghezza d'onda | 520nm |
Tensione - max | 150Vpk |
Rise Time (Typ) | 60ms |
Fall Time (Typ) | 25ms |
Resistenza cellulare (Min) @ Scuro | 500 kOhms @ 10s |
Resistenza cellulare @ illuminanza | 11 ~ 27 kOhms @ 10 lux |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 75°C (TA) |
Through Hole | |
Radial | |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDV-P9002-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDV-P9002-1-FT |
350-00009
Parallax Inc.
NSL-6510
Advanced Photonix
NSL-5540
Advanced Photonix
NSL-5532
Advanced Photonix
NSL-5510
Advanced Photonix
NORPS-12
Advanced Photonix
NSL-5150
Advanced Photonix
NSL-4140
Advanced Photonix
NSL-06S53
Advanced Photonix
NSL-5110
Advanced Photonix
XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K300EFI672-2N
Intel
EP20K400EFC672-1
Intel
5SGXEB5R1F40C1N
Intel
EP2SGX90EF1152C3
Intel
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-8FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation