casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Photo Detectors - CdS Cells / PDV-P8102
codice articolo del costruttore | PDV-P8102 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PDV-P8102 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDV-P8102 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
lunghezza d'onda | 520nm |
Tensione - max | 150Vpk |
Rise Time (Typ) | 60ms |
Fall Time (Typ) | 25ms |
Resistenza cellulare (Min) @ Scuro | 300 kOhms @ 10s |
Resistenza cellulare @ illuminanza | 9 ~ 20 kOhms @ 10 lux |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 75°C (TA) |
Through Hole | |
Radial | |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDV-P8102 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDV-P8102-FT |
350-00009
Parallax Inc.
NSL-6510
Advanced Photonix
NSL-5540
Advanced Photonix
NSL-5532
Advanced Photonix
NSL-5510
Advanced Photonix
NORPS-12
Advanced Photonix
NSL-5150
Advanced Photonix
NSL-4140
Advanced Photonix
NSL-06S53
Advanced Photonix
NSL-5110
Advanced Photonix
XCV150-5FG256C
Xilinx Inc.
XCKU15P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3FGG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FG484C
Xilinx Inc.
A3P060-VQ100
Microsemi Corporation
A3P060-1VQ100I
Microsemi Corporation
A3P250L-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F35I3
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation