casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Photo Detectors - CdS Cells / PDV-P8101
codice articolo del costruttore | PDV-P8101 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PDV-P8101 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDV-P8101 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
lunghezza d'onda | 520nm |
Tensione - max | 150Vpk |
Rise Time (Typ) | 55ms |
Fall Time (Typ) | 20ms |
Resistenza cellulare (Min) @ Scuro | 150 kOhms @ 10s |
Resistenza cellulare @ illuminanza | 4 ~ 11 kOhms @ 10 lux |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 75°C (TA) |
Through Hole | |
Radial | |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDV-P8101 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDV-P8101-FT |
350-00009
Parallax Inc.
NSL-6510
Advanced Photonix
NSL-5540
Advanced Photonix
NSL-5532
Advanced Photonix
NSL-5510
Advanced Photonix
NORPS-12
Advanced Photonix
NSL-5150
Advanced Photonix
NSL-4140
Advanced Photonix
NSL-06S53
Advanced Photonix
NSL-5110
Advanced Photonix
EPF10K50ETC144-1
Intel
XCV812E-8FG900C
Xilinx Inc.
XC7A100T-3FGG484E
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16F484C8N
Intel
10CL080YF484I7G
Intel
LFEC10E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel