casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Photo Detectors - CdS Cells / PDV-P8006
codice articolo del costruttore | PDV-P8006 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PDV-P8006 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDV-P8006 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
lunghezza d'onda | 520nm |
Tensione - max | 150Vpk |
Rise Time (Typ) | 60ms |
Fall Time (Typ) | 25ms |
Resistenza cellulare (Min) @ Scuro | 5 MOhms @ 10s |
Resistenza cellulare @ illuminanza | 80 ~ 240 kOhms @ 10 lux |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 75°C (TA) |
Through Hole | |
Radial | |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDV-P8006 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDV-P8006-FT |
350-00009
Parallax Inc.
NSL-6510
Advanced Photonix
NSL-5540
Advanced Photonix
NSL-5532
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NSL-5510
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NORPS-12
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LFE2-6SE-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL400V2-FG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
10M25DAF484I6G
Intel
5SGXEA7H3F35C2L
Intel
LFE3-70EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC3B7F23C8N
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5AGXFB3H4F35C4G
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EP3C80F780I7N
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EP1C6Q240C6
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