casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Photo Detectors - CdS Cells / PDV-P8006
codice articolo del costruttore | PDV-P8006 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PDV-P8006 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDV-P8006 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
lunghezza d'onda | 520nm |
Tensione - max | 150Vpk |
Rise Time (Typ) | 60ms |
Fall Time (Typ) | 25ms |
Resistenza cellulare (Min) @ Scuro | 5 MOhms @ 10s |
Resistenza cellulare @ illuminanza | 80 ~ 240 kOhms @ 10 lux |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 75°C (TA) |
Through Hole | |
Radial | |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDV-P8006 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDV-P8006-FT |
350-00009
Parallax Inc.
NSL-6510
Advanced Photonix
NSL-5540
Advanced Photonix
NSL-5532
Advanced Photonix
NSL-5510
Advanced Photonix
NORPS-12
Advanced Photonix
NSL-5150
Advanced Photonix
NSL-4140
Advanced Photonix
NSL-06S53
Advanced Photonix
NSL-5110
Advanced Photonix
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP2-5FGG456I
Xilinx Inc.
5SEEBH40I2N
Intel
A42MX16-2TQG176
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX200EB-04FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E7F31C8N
Intel
10AX057K3F40E2SG
Intel