casa / prodotti / Sensori, trasduttori / Sensori ottici - Photo Detectors - CdS Cells / PDV-P8001
codice articolo del costruttore | PDV-P8001 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PDV-P8001 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDV-P8001 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
lunghezza d'onda | 520nm |
Tensione - max | 150Vpk |
Rise Time (Typ) | 55ms |
Fall Time (Typ) | 20ms |
Resistenza cellulare (Min) @ Scuro | 200 kOhms @ 10s |
Resistenza cellulare @ illuminanza | 3 ~ 11 kOhms @ 10 lux |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 75°C (TA) |
Through Hole | |
Radial | |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDV-P8001 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDV-P8001-FT |
350-00009
Parallax Inc.
NSL-6510
Advanced Photonix
NSL-5540
Advanced Photonix
NSL-5532
Advanced Photonix
NSL-5510
Advanced Photonix
NORPS-12
Advanced Photonix
NSL-5150
Advanced Photonix
NSL-4140
Advanced Photonix
NSL-06S53
Advanced Photonix
NSL-5110
Advanced Photonix
EPF6016TC144-2N
Intel
M1A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
XC5VSX50T-2FF665I
Xilinx Inc.
XC7VX1140T-2FLG1928C
Xilinx Inc.
AX1000-2FG676
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-2MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C80F780I7
Intel
EP1C20F400C8
Intel