casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTC114YK,115
codice articolo del costruttore | PDTC114YK,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PDTC114YK,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PDTC114YK,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT3; MPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC114YK,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTC114YK,115-FT |
BCR183E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR185E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR185E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCR191E6327HTSA1
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BCR192E6327HTSA1
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BCR192E6785HTSA1
Infineon Technologies
BCR196E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR198B6327HTLA1
Infineon Technologies
BCR198E6393HTSA1
Infineon Technologies
BCR198E6433HTMA1
Infineon Technologies
EPF10K30ATI144-2N
Intel
LCMXO2-1200HC-5TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S200-4PQ208C
Xilinx Inc.
AX500-1FG484
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40I2L
Intel
XC7VX550T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation